N 沟道 PowerTrench® SyncFET™,30V,21A,3.6mΩ

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FDS6699S 专为替代同步 DC:DC 电源中的单 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管而设计。此 30V MOSFET 用于最大程度提高电源转换效率,可提供低 RDS(ON) 和低门极电荷。FDS6699S 包括了一个使用单片 SyncFET 技术的集成式肖特基二极管。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
  • Notebook Vcore low side switch
  • Point of Load Low Side Switch
  • 21A、30V
  • RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 包含SyncFET肖特基体二极管
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关
  • 高功率和高电流处理能力
  • 100%通过RG(栅极电阻)测试

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FDS6699S

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A

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P

SOIC-8

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2500

N

30

3.6

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3

21

2.5

-

4.5

23

35

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