FQA7N80C-F109

N 沟道 QFET^® MOSFET 800V, 7.0A, 1.9Ω

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该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

应用

台式计算机
AC-DC商用电源-台式计算机

特性

7A, 800V, R_DS(on) = 1.9Ω（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 3.5A栅极电荷低（典型值：27nC)
低 C_rss（典型值10pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
RoHS compliant

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQA7N80C-F109

Last Shipments

TO-3P-3L

340BZ

TUBE

450

800

1900

N-Channel

Single

±30

198

1290

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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