功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 400 V,10.5 A,530 mΩ,D2PAK

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此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用平面条纹 DMOS 专属工艺生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。

  • High Efficiency Switched Mode Power Supplies
  • Active Power Factor Correction(PFC)
  • Electronic Lamp Ballasts based on Half Bridge Topology
  • 10.5 A、400 V、RDS(on) = 530 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 5.25 A
  • 低栅极电荷(典型值 28 nC)
  • 低 Crss(典型值 85 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQB11N40CTM

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Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

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245

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800

N

400

530

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Single

4

4

10.5

135

-

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840

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