功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-500 V,-1.5 A,10.5 Ω,D2PAK

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此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

  • 照明
  • -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = -0.75A栅极电荷低(典型值:11nC)
  • 低 Crss(典型值6pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • RoHS compliant

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQB1P50TM

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Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

N

-500

10500

P-Channel

Single

±30

-5

-1.5

63

-

-

-

11

270

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