功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 60 V,50 A,22 mΩ,D2PAK

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

  • 其他工业
  • 50A,60V,RDS(on) = 22mΩ(最大值)(VGS = 10 V且ID = 25A 时)
  • 低栅极电荷(典型值 31nC)
  • 低 Crss(典型值 65pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 175°C最大结温额定值"

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQB50N06TM

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Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

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245

REEL

800

N

60

22

N-Channel

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4

50

120

-

-

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