FQD3P50TM

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-500 V，-2.1 A，4.9 Ω，DPAK

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CAD模型

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此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

应用

照明

终端产品

Lighting

特性

-2.1 A, -500 V, R_DS(on) = 4.9 Ω（最大值）（V_GS = 10 V 且 I_D = -1.05 A 时）栅极电荷低（典型值：18nC）
低 C_rss（典型值9.5pF）
100% 经过雪崩击穿测试
100% avalanche tested

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQD3P50TM

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

-500

4.9

P-Channel

Single

±30

-5

-2.1

~NA~

510

$0.5607

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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