N 沟道 QFET® MOSFET 100V,48A,39mΩ

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该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

  • 其他工业
  • 48A, 100V, RDS(on) = 39mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 24A栅极电荷低(典型值:48nC)
  • 低 Crss(典型值85pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 175°C最大结温额定值"
  • 175°C maximum junction temperature rating

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQH44N10-F133

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

100

39

N-Channel

Single

±25

4

48

180

-

-

-

48

1400

Price N/A

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