FQP2N80

N 沟道，QFET® MOSFET，800V，2.4A，6.3Ω

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

应用

照明

特性

2.4A，800V，R_DS(on) = 6.3Ω（最大值）（V_GS = 10 V 且 I_D = 1.2A 时）
低栅极电荷（典型值 12nC)
低 C_rss（典型值 5.5pF)
100% 经过雪崩击穿测试

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQP2N80

Obsolete

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

800

6300

N-Channel

Single

±30

2.4

425

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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