FQP9N50C

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，TO-220

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此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。

应用

LED 电视
LCD 电视
EMS
配电
台式计算机
DC-DC商用电源
消费型设备
AC-DC商用电源-有线通信

特性

9 A、500 V、R_DS(on) = 800 mΩ（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 4.5 A
低栅极电荷（典型值 28 nC）
低 Crss（典型值 24 pF）
100% 经过雪崩击穿测试

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQP9N50C

Obsolete

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

500

800

N-Channel

Single

±30

135

790

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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