FQPF19N10

N 沟道，QFET® MOSFET，100V，13.6A，100mΩ

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CAD模型

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

应用

其他音频与视频

特性

13.6A, 100V, R_DS(on) = 100mΩ（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 6.8A栅极电荷低（典型值：19nC)
低 C_rss（典型值32pF）
100% 经过雪崩击穿测试
175°C最大结温额定值"
175°C maximum junction temperature rating

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQPF19N10

Obsolete

TO-220-3 FullPak

221AT

TUBE

1000

100

N-Channel

Single

±25

13.6

600

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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