功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,11.8 A,150 mΩ,TO-220F

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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  • 11.8A, 200V, RDS(on) = 150mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5.9A栅极电荷低(典型值:31nC)
  • 低 Crss(典型值30pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试"
  • 100% avalanche tested

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQPF19N20

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1000

N

200

150

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11.8

50

-

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