功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 250 V,2.3 A,2.2 Ω,TO-220F

添加至我的收藏

概览

此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关 DC/DC 转换器、开关模式电源。

  • High Efficiency Switching DC/DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • 2.3 A、250 V、RDS(on) = 2.2 Ω(最大值)@VGS = 10 V、ID = 1.15 A
  • 低栅极电荷(典型值 4.0 nC)
  • 低 Crss(典型值 4.7 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQPF3N25

Loading...

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

NA

0

TUBE

1000

N

250

2200

N-Channel

Single

5

5

2.3

27

-

-

4

4

130

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :