N 沟道 QFET® MOSFET 400V, 3.0A, 1.6Ω

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该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

  • LED 电视
  • 3A, 400V, RDS(on) = 1.6Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.5A栅极电荷低(典型值:10nC)
  • 低 Crss(典型值7pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 100% avalanche tested

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FQPF5N40

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P

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NA

0

TUBE

1000

N

400

1600

N-Channel

Single

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5

3

35

-

-

-

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350

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