弃用 - 替代零件编号 - NTMS10P02R2

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弃用 - MiniMOS™ 器件为先进的功率 MOSFET 系列,采用摩托罗拉的高单元密度 HDTMOS 工艺。这些半微型表面贴装 MOSFET 具有超低 RDS(on) 和真正逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换相模式下的高能量,漏极-源极二极管具有很短的逆向恢复时间。MiniMOS 器件设计用于高能效至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。雪崩能量专用于消除设计中的猜测,其中感应负载可进行切换,并提供额外的安全裕度,以抵御意外的电压瞬变。

  • Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
  • Logic Level Gate Drive - Can Be Driven by Logic ICs
  • Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space
  • Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits
  • Diode Exhibits High Speed, With Soft Recovery
  • IDSS Specified at Elevated Temperature
  • Mounting Information for SO-8 Package Provided
  • Avalanche Energy Specified

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