单 N 沟道,2.5V 指定,PowerTrench® MOSFET,20V,7.4A,22mΩ

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此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此器件采用非常小的占位封装,提供卓越的功率耗散。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • DC/DC Converters
  • Load Switch
  • 7.4 A, 20 V
  • RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS= 2.7 V。
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷(典型值11 nC)。
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

NDS8425

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

20

-

N-Channel

Single

8

1.5

7.4

2.5

28

22

-

11

1098

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