N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V,14A,100mΩ

添加至我的收藏

概览

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸,可实现硅的优化利用,因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的,该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导,因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 14A、50V
  • rDS(ON)= 0.100Ω
  • 温度补偿式PSPICE®模型
  • 可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 175°C工作温度
  • 相关文献

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

2

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

2

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

RFD14N05LSM

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

TUBE

1800

Y

50

-

N-Channel

Single

±10

2

14

48

-

100

-

22

670

$0.3869

More Details

RFD14N05LSM9A

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

50

-

N-Channel

Single

±10

2

14

48

-

100

-

22

670

$0.2756

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :