N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V,11A,107mΩ

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此类 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用最新的制造工艺技术生产。此工艺使用的特征尺寸接近 LSI 电路的特征尺寸,可实现硅的最佳利用,从而实现出色的性能。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接在集成电路中运行。以前的开发类型为TA49158。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 11A,60V
  • rDS(ON)= 0.107Ω
  • 温度补偿式PSPICE®模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

RFD3055LE

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Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

NA

0

TUBE

1800

N

60

-

N-Channel

Single

±16

3

11

38

-

107

-

5.2

350

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