功率 MOSFET,N 沟道,B-FET,450 V,0.5 A,4.25 Ω,TO-92

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此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻,提供出色的开关性能,可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥配置的电子镇流器。

  • 照明
  • 0.5A,450V,RDS(on) = 4.25Ω @VGS = 10 V
  • 低栅极电荷(典型值6.5nC)
  • 低Crss(典型值6.5 pF)
  • 100%经过雪崩测试
  • 可提高dv/dt处理能力
  • 栅极-源电压 ±;50V保证

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

SSN1N45BTA

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO−92 3LD 4.75x4.80

NA

0

FNFLD

2000

N

450

4250

N-Channel

Single

±50

-

0.5

0.9

-

-

23.6

6.5

185

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