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FCMT180N65S3: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,650 V,17 A,180 mΩ,Power88

Datasheet: MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 17 A, 180 mΩ
Rev. 5 (215kB)
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SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用,如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装,高度(高 1mm)和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源,可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
特性   优势
     
  • 700 V @ TJ = 150 oC
 
  • Higher system reliability at low temperature operation
  • Leadless Ultra-thin SMD package
 
  • High power density
  • Kelvin contact
 
  • Low gate noise and switching loss
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
 
  • Low switching loss
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 305 pF)
 
  • Low switching loss
  • Optimized Capacitance
 
  • Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
  • Typ. RDS(on) = 152 mΩ
   
  • 100% Avalanche Tested
   
  • RoHS Compliant
   
  • Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
   
  • Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
   
应用   终端产品
  • Telecommunication
  • Cloud system
  • Industrial
 
  • Telecom power
  • Server power
  • LED Lighting
  • Adapter
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FCMT180N65S3 Active
Pb-free
Halide free
FCMT180N65S3 PQFN-4 483AP 1 260 Tape and Reel 3000 $1.1641
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FCMT180N65S3  
 $1.1641 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
650
30
4.5
17
139
-
-
180
-
33
1350
PQFN-4
外形
483AP   
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