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FCPF190N65S3R0L: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,650 V,17 A,190 mΩ,TO-220F

Datasheet: MOSFET — Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 17 A, 190 m®
Rev. 7 (181kB)
产品概览
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SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题,实现更轻松的设计实施。
特性   优势
     
  • 700 V @ TJ = 150 °C
 
  • Higher system reliability at low temperature operation
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 300 pF)
 
  • Low switching loss
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
 
  • Low switching loss
  • Optimized Capacitance
 
  • Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
  • 100% Avalanche Tested
   
  • RoHS Compliant
   
  • Typ. RDS(on) = 159 mΩ
   
  • Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
   
应用   终端产品
  • Computing
  • Consummer
  • Industrial
 
  • Notebook / Desktop computer / Game console
  • Telecom / Server
  • LCD / LED TV
  • LED Lighting / Ballast
  • Adapter
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FCPF190N65S3R0L Lifetime
Pb-free
Halide free
FCPF190N65S3R0L TO-220-3 FullPak 340BF NA Tube 1000 $0.9562
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 172,000
外形
340BF   
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