NVMFD5C680NL: 双 N 沟道功率 MOSFET 60V，26A，28mΩ
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适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
| 特性 | 优势 | ||||
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| 应用 | 终端产品 | |
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评估/开发工具信息
| 产品 | 状况 | Compliance | 简短说明 | 行动 | |
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| SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB | Active |
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A 6.6kW OBC evaluation board using Totem pole topology |
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Availability & Samples
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Specifications
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外形 |
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| NVMFD5C680NLT1G | Active |
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NVMFD5C680NL | SO-8FL Dual / DFN-8 | 506BT | 1 | 260 | Tape and Reel | 1500 | Contact Sales Office
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| NVMFD5C680NLWFT1G | Active |
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NVMFD5C680NL | SO-8FL Dual / DFN-8 | 506BT | 1 | 260 | Tape and Reel | 1500 | Contact Sales Office
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| 市场订货至交货的时间(周) | : | Contact Factory |
| 市场订货至交货的时间(周) | : | Contact Factory |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
NVMFD5C680NLT1G
Pb
A
H
P
Active
N-Channel
Dual
60
±20
2.2
19
19
-
Q1=Q2=41
Q1=Q2=28
11.5
5
350
SO-8FL Dual / DFN-8
NVMFD5C680NLWFT1G
Pb
A
H
P
Active
N-Channel
Dual
60
±20
2.2
19
19
-
Q1=Q2=41
Q1=Q2=28
11.5
5
350
SO-8FL Dual / DFN-8
外形
506BT
| 设计支援 |