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N25S818HA: 串行 SRAM 内存,256-kb,1.8 V

Datasheet: 256 kb Low Power Serial SRAMs
Rev. 12 (147.0kB)
产品概览
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安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 8 K 个词,每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造,速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚,可实现与要暂停器件的通信。暂停后,输入转换将忽略。此类器件可在 −40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行,采用若干标准封装。
特性
 
  • 1.7 to 1.95 V power supply range
  • Very low standby current - typical Isb as low as 200 nA
  • Very low operating current - as low as 3 mA
  • Simple memory control: single chip select (CS), serial input (SI) and serial output (SO)
  • Flexible operating modes: word read and write, page mode (32 word page), and burst mode (full array)
  • 32 K x 8 bit organization
  • Self timed write cycles
  • Built-in write protection (CS high)
  • HOLD pin for pausing communication
技术文档及设计资源
辅助小册子 (1) 封装图纸 (2)
数据表 (1)  
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
N25S818HAS21I Active
Pb-free
Halide free
N25S818HA SOIC-8 751AZ 3 260 Tube 96 $1.0877
N25S818HAT21I Active
Pb-free
Halide free
N25S818HA TSSOP-8 948S-01 3 260 Tube 100 $1.0877
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Type
Density
Organization (bits)
fcycle Max (MHz)
VCC Min (V)
VCC Max (V)
Istandby Typ (µA)
Package Type
N25S818HAS21I  
 $1.0877 
Pb
H
 Active   
Serial
256 kb
32k x 8
16
1.7
1.95
0.2
SOIC-8
N25S818HAT21I  
 $1.0877 
Pb
H
 Active   
Serial
256 kb
32k x 8
16
1.7
1.95
0.2
TSSOP-8
外形
751AZ    948S-01   
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