N 沟道 SuperFET® III MOSFET

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SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端 dv/dt 额定值。 因此,SuperFET III MOSFET 非常适用于系统小型化和高效化的各种功率系统。

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  • Adapter
  • TJ = 150°C 时为 700 V
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 35 nC)
  • 低电平有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 345 pF)
  • Optimized Capacitance
  • Internal Gate Resistance: 4.6 ohm
  • 典型值 RDS(on) = 140 mΩ
  • 100% 经过耐雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FCPF165N65S3L1

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N

650

165

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19

35

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