FDFS6N548

集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，7A，23mΩ

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FDFS6N548 在 SO-8 封装内将 PowerTrench MOSFET 技术的卓越性能与极低正电压降的肖特基势垒整流器相结合。此器件特别适合用作 DC-DC 转换器的单封装方案。它具有快速开关、低门极电荷 MOSFET，且导通电阻极低。独立联接的肖特基二极管使其可用于各种 DC/DC 转换器拓扑结构。

应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

特性

V_GS = 10V，I_D = 7A时，最大r_DS(on) = 23 mΩ
V_GS = 4.5V，I_D = 0A时，最大r_DS(on) = 30 mΩ
V_F < 0.45V (2A)
V_F < 0.28V (100mA)
肖特基和MOSFET整合入单个功率表面贴装SO-8封装
电气独立肖特基和MOSFET引脚输出提供设计的灵活性
低米勒电荷

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDFS6N548

Obsolete

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

N-Channel

with Schottky Diode

2.5

525

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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