N 沟道,PowerTrench® MOSFET,250V,50A,47mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

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  • 典型rDS(on) = 38mΩ (VGS = 10V, ID = 50A 时)
  • 在VGS = 10V时,Qg(TOT) = 78nC(典型值)
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDP2710-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

N

250

129

N-Channel

Single

±30

5

50

403

-

-

-

78

5690

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