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FDD10N20LZ: 功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,UniFETTM,200 V,7.6 A,360 mΩ,DPAK

Datasheet: FDD10N20LZCN-D.pdf
Rev. A (720kB)
产品概览
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UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
特性
 
  • RDS(on) = 300mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.8A
  • 低栅极电荷(典型值 12nC)
  • 低 Crss(典型值 11pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
LIGHTING-1-GEVK Active
Pb-free
Connected Lighting Platform for LED Control
FutureElectronics (2020-08-19) : 4
Availability & Samples
Specifications
Intaractive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDD10N20LZTM Active
Pb-free
Halide free
FDD10N20LZ DPAK-3 / TO-252-3 369AS 1 260 Tape and Reel 2500 $0.3185
市场订货至交货的时间(周) : 4 to 8
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 52,500

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDD10N20LZTM  
 $0.3185 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
200
±20
3
7.6
83
-
400
360
-
12
440
DPAK-3 / TO-252-3
外形
369AS   
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