FDC3535: -80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

Datasheet: P-Channel Power Trench MOSFET -80 V, -2.1 A, 183 m-Ohm
Rev. 2 (253kB)
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此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性
 
  • VGS = -10 V,ID = -2.1 A时,最大rDS(on) = 183mΩ
  • VGS = -4.5 V,ID = -1.9 A时,rDS(on) = 233 mΩ
    (最大值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
LIGHTING-1-GEVK Active
Pb-free
Connected Lighting Platform for LED Control
FutureElectronics (2020-08-19) : 4
Availability & Samples
Specifications
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDC3535 Active
Pb-free
Halide free
FDC3535 TSOT-23-6 419BL 1 260 Tape and Reel 3000 $0.2488
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDC3535  
 $0.2488 
Pb
H
 Active   
P-Channel
Single
-80
±20
-3
-2.1
1.6
-
233
183
-
6.8
659
TSOT-23-6
外形
419BL   
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