FQT13N06L: 功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,2.8 A,110 mΩ,SOT-223

Datasheet: FQT13N06LCN-D.pdf
Rev. A (908kB)
产品概览
浏览可靠性数据
查看材料成分
产品更改通知
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性
 
  • 2.8A, 60V, RDS(on) = 140mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.4A栅极电荷低(典型值:4.8nC)
  • 低 Crss(典型值17pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 100% avalanche tested
应用
  • LED 电视
  • 消费型设备
  • 其他工业
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
SECO-RANGEFINDER-GEVK Active
Pb-free
SiPM Direct Time of Flight (dToF) LiDAR
Availability & Samples
Specifications
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FQT13N06LTF Active
Pb-free
FQT13N06L SOT-223-4 / TO-261-4 318H-01 1 260 Tape and Reel 4000 $0.2197
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FQT13N06LTF  
 $0.2197 
Pb
 Active   
N-Channel
Single
60
±20
2.5
2.8
2.1
-
140
110
-
4.8
270
SOT-223-4 / TO-261-4
外形
318H-01   
之前浏览的产品
清除列表

精选视频
What is Industrial Rangefinding?
Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.