功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,2.8 A,110 mΩ,SOT-223

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

  • LED 电视
  • 消费型设备
  • 其他工业
  • 2.8A, 60V, RDS(on) = 140mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.4A栅极电荷低(典型值:4.8nC)
  • 低 Crss(典型值17pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 100% avalanche tested

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Configuration

V(BR)DSS Min (V)

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Pricing ($/Unit)

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FQT13N06LTF

Lifetime

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

N

N-Channel

Single

60

±20

2.5

2.8

2.1

-

140

110

-

4.8

270

$0.2483

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