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FDMS0312AS: N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,22A,5.0mΩ

Datasheet: FDMS0312ASCN-D.pdf
Rev. A (417kB)
产品概览
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FDMS0312AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展,可提供最低的 rDS(on),同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
特性
 
  • 最大值 rDS(on) = 5.0 mΩ(VGS = 10 V, ID = 18 A
    时)
  • 最大值 rDS(on) = 6.2 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 16 A
    时)
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
  • SyncFET肖特基体二极管
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
STR-NCP164A-WDFN6-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCP164A Adjustable LDO, WDFN6 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, DFNW8 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-TSOP5-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, TSOP5 Package Evaluation Board
Availability & Samples
Specifications
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDMS0312AS Active
Pb-free
Halide free
FDMS0312AS PQFN-8 483AE 1 260 Tape and Reel 3000 $0.1867
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS0312AS  
 $0.1867 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
30
20
3
22
36
-
6.2
5
-
11
1365
PQFN-8
外形
483AE   
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