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FDMS3660S: 不对称双 N 沟道,PowerTrench® 功率级 MOSFET,30V

Datasheet: PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N?Channel MOSFET
Rev. 3 (478kB)
产品概览
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此器件在一个双 PQFN 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
特性
 
  • Q1: N 沟道
  • 最大值 rDS(on) = 8 mΩ(在 VGS = 10 V,ID = 13 A 时)
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
  • MOSFET 集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 笔记本电脑
Availability & Samples
Specifications
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDMS3660S Active
Pb-free
Halide free
FDMS3660S PQFN-8 483AJ 1 260 Tape and Reel 3000 $0.614
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS3660S  
 $0.614 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Dual
30
12
Q1: 2.7, Q2; 2.2
Q1: 13.0, Q2: 30.0
Q1:2.2, Q2: 2.5
-
Q1: 11.0, Q2: 2.2
Q1: 8, Q2: 1.8
17
29
4130
PQFN-8
外形
483AJ   
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