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FDMS86181: N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,124A,4.2mΩ

Datasheet: MOSFET - Power, N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH, 100 V, 124 A, 4.2 mΩ
Rev. 3 (230kB)
产品概览
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此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能,以及业内最佳的软体二极管。
特性
 
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on) = 4.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 44 A
  • 最大 rDS(on) = 12 mΩ(VGS = 6 V、ID = 22 A
  • ADD
  • Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
  • 减少了开关噪音/EMI
  • MSL1 强健封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDMS86181 Active
Pb-free
Halide free
FDMS86181 PQFN-8 483AE 1 260 Tape and Reel 3000 $1.1865
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS86181  
 $1.1865 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
4
124
125
-
-
4.2
-
27
2945
PQFN-8
外形
483AE   
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