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NIS5112: 12 V 电子熔丝,eFuse

Datasheet: Electronic Fuse
Rev. 10 (442kB)
产品概览
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NIS5112 是一款集成的开关,使用内部电荷泵驱动的高压侧 N 沟道 FET。 此开关具有一个 MOSFET,可以使用不是特别昂贵的芯片电阻代替昂贵的低阻抗电流分路进行电流感应。适用于 12 V 系统,包括强大的高温保护电路。
特性
 
  • Integrated Power Device
  • Power Device Thermally Protected
  • No External Current Shunt Required
  • Enable/Timer Pin
  • Adjustable Slew Rate for Output Voltage
  • 9 V to 18 V Input Range
  • 30 mΩ Typical
  • Internal Charge Pump
应用
  • Hard Drives
Availability & Samples
Specifications
外形
Intaractive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
NIS5112D1R2G Active
Pb-free
Halide free
NIS5112 SOIC-8 751-07 3 260 Tape and Reel 2500 $1.32
NIS5112D2R2G Active
Pb-free
Halide free
NIS5112 SOIC-8 751-07 3 260 Tape and Reel 2500 $1.32
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Type
VI Max (V)
rDS(on) Max (mΩ)
TSD Typ (°C)
Thyst Typ (°C)
Package Type
NIS5112D1R2G  
 $1.32 
Pb
H
 Active   
Latch Off
18
35
135
40
SOIC-8
NIS5112D2R2G  
 $1.32 
Pb
H
 Active   
Auto-Retry
18
35
135
40
SOIC-8
外形
751-07   
封装
NIS5112: 12 V 电子熔丝,eFuse
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