制造工艺

安森美半导体拥有广泛的制造工艺组合。补充的前工序服务包括探头和定制短流程晶圆工艺；和补充的后工序服务包括背研(backgrind)、背金(backmetal)、封装、测试及物流。

工艺名称 最少需采用的
多晶硅工艺 (µ)		 金属层
数量		 晶圆尺寸
(英寸) 		工作
电压 (Vgs)		 第1层金属线间距 非易失性存储器 (NVM) 线性
电容		 高压器件
(Vds)		 N沟道
DMOS		 P沟道
DMOS		 双极 传输
特性		 其它
器件
I4T 45V/70V 0.18 4-6 8 1.8/3.3 0.46 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 45/70 是 是 否 金属硅化物 电阻
ONC18 18V18V 0.18 4-6 8 5/18 0.46 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 18 是 是 否 金属硅化物 电阻
ONC18 5V30V 0.18 4-6 8 1.8/5 0.46 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 30 是 是 否 金属硅化物 电阻
ONC18G/MS 0.18 4-6 8 1.8/3.3 0.46 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 15 是 是 否 金属硅化物 电阻
ONC25 0.25 2-5 8 2.5/3.3/5 0.64 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 5 否 否 是 金属硅化物 混合器件
ONBCD25 0.25 2-5 8 5/12 0.64 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 40 是 是 是 金属硅化物 混合器件
C3/D3 0.35 3-5 8 3.3/5 1.10 是 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) 5 否 否 否 金属硅化物 电阻
I3T25 0.35 3-5 8 3.3/12 1.00 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 18 是 是 是 金属硅化物 电阻
I3T50 0.35 3-5 6 & 8 3.3 1.00 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 40 是 是 是 Salicide 混合器件
I3T80 0.35 3-5 6 & 8 3.3 1.00 是 金属-绝缘层-金属(MIM) 70 是 是 是 金属硅化物 混合器件
C5 0.6 2-3 8 5/12 1.50 是 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) 20 是 是 否 多晶硅 混合器件
I2T100 0.7 2-3 6 5 2.80 是 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) 100 是 是 是 多晶硅 混合器件
定制代工服务
外部 IP
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