制造工艺
安森美半导体拥有广泛的制造工艺组合。补充的前工序服务包括探头和定制短流程晶圆工艺；和补充的后工序服务包括背研(backgrind)、背金(backmetal)、封装、测试及物流。
| 工艺名称 | 最少需采用的 多晶硅工艺 (µ) |
金属层 数量 |
晶圆尺寸 (英寸) |
工作 电压 (Vgs) |
第1层金属线间距 | 非易失性存储器 (NVM) | 线性 电容 |
高压器件 (Vds) |
N沟道 DMOS |
P沟道 DMOS |
双极 | 传输 特性 |
其它 器件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I4T 45V/70V | 0.18 | 4-6 | 8 | 1.8/3.3 | 0.46 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 45/70 | 是 | 是 | 否 | 金属硅化物 | 电阻 |
| ONC18 18V18V | 0.18 | 4-6 | 8 | 5/18 | 0.46 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 18 | 是 | 是 | 否 | 金属硅化物 | 电阻 |
| ONC18 5V30V | 0.18 | 4-6 | 8 | 1.8/5 | 0.46 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 30 | 是 | 是 | 否 | 金属硅化物 | 电阻 |
| ONC18G/MS | 0.18 | 4-6 | 8 | 1.8/3.3 | 0.46 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 15 | 是 | 是 | 否 | 金属硅化物 | 电阻 |
| ONC25 | 0.25 | 2-5 | 8 | 2.5/3.3/5 | 0.64 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 5 | 否 | 否 | 是 | 金属硅化物 | 混合器件 |
| ONBCD25 | 0.25 | 2-5 | 8 | 5/12 | 0.64 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 40 | 是 | 是 | 是 | 金属硅化物 | 混合器件 |
| C3/D3 | 0.35 | 3-5 | 8 | 3.3/5 | 1.10 | 是 | 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) | 5 | 否 | 否 | 否 | 金属硅化物 | 电阻 |
| I3T25 | 0.35 | 3-5 | 8 | 3.3/12 | 1.00 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 18 | 是 | 是 | 是 | 金属硅化物 | 电阻 |
| I3T50 | 0.35 | 3-5 | 6 & 8 | 3.3 | 1.00 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 40 | 是 | 是 | 是 | Salicide | 混合器件 |
| I3T80 | 0.35 | 3-5 | 6 & 8 | 3.3 | 1.00 | 是 | 金属-绝缘层-金属(MIM) | 70 | 是 | 是 | 是 | 金属硅化物 | 混合器件 |
| C5 | 0.6 | 2-3 | 8 | 5/12 | 1.50 | 是 | 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) | 20 | 是 | 是 | 否 | 多晶硅 | 混合器件 |
| I2T100 | 0.7 | 2-3 | 6 | 5 | 2.80 | 是 | 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) | 100 | 是 | 是 | 是 | 多晶硅 | 混合器件 |