feedback
评价本网页

需要帮助?

制造工艺

安森美半导体拥有广泛的制造工艺组合。补充的前工序服务包括探头和定制短流程晶圆工艺;和补充的后工序服务包括背研(backgrind)、背金(backmetal)、封装、测试及物流。

工艺名称 最少需采用的
多晶硅工艺 (µ)
金属层
数量
晶圆尺寸
(英寸)
工作
电压 (Vgs)
第1层金属线间距 非易失性存储器 (NVM) 线性
电容
高压器件
(Vds)
N沟道
DMOS
P沟道
DMOS
双极 传输
特性
其它
器件
I4T 45V/70V 0.18 4-6 8 1.8/3.3 0.46 金属-绝缘层-金属(MIM) 45/70 金属硅化物 电阻
ONC18 18V18V 0.18 4-6 8 5/18 0.46 金属-绝缘层-金属(MIM) 18 金属硅化物 电阻
ONC18 5V30V 0.18 4-6 8 1.8/5 0.46 金属-绝缘层-金属(MIM) 30 金属硅化物 电阻
ONC18G/MS 0.18 4-6 8 1.8/3.3 0.46 金属-绝缘层-金属(MIM) 15 金属硅化物 电阻
ONC25 0.25 2-5 8 2.5/3.3/5 0.64 金属-绝缘层-金属(MIM) 5 金属硅化物 混合器件
ONBCD25 0.25 2-5 8 5/12 0.64 金属-绝缘层-金属(MIM) 40 金属硅化物 混合器件
C3/D3 0.35 3-5 8 3.3/5 1.10 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) 5 金属硅化物 电阻
I3T25 0.35 3-5 8 3.3/12 1.00 金属-绝缘层-金属(MIM) 18 金属硅化物 电阻
I3T50 0.35 3-5 6 & 8 3.3 1.00 金属-绝缘层-金属(MIM) 40 Salicide 混合器件
I3T80 0.35 3-5 6 & 8 3.3 1.00 金属-绝缘层-金属(MIM) 70 金属硅化物 混合器件
C5 0.6 2-3 8 5/12 1.50 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) 20 多晶硅 混合器件
I2T100 0.7 2-3 6 5 2.80 多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP) 100 多晶硅 混合器件
Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.