NCV57000: 隔离高电流和高能效 IGBT 门极驱动器,带内部电流隔离。
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NCV57000 是一款带内部电流隔离的高电流单沟道 IGBT 驱动器,适用于高功率应用中的高系统能效和可靠性。其功能包括互补输入、开路漏极 FAULT 和 Ready 输出、有源米勒箝位、准确 UVLO、DESAT 保护、DESAT 时的软关断,以及用于系统设计简便性的单独高低驱动器输出(OUTH 和 OUTL)。NCV57000 可适应输入侧上 5V 和 3.3V 信号,以及驱动器侧上的宽偏置电压范围,包括负电压功能。NCV57000 提供 > 5 kVrms(UL1577 等级)电流隔离和 > 1200 Viorm(工作电压)功能。NCV57000 采用宽体 SOIC-16 封装,可在输入和输出之间保证 8 mm 漏电距离,满足加强安全绝缘要求。
特性 | 优势 | ||||
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应用 | 终端产品 | |
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评估/开发工具信息
产品 | 状况 | Compliance | 简短说明 | 行动 | |
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SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB | Active |
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6.6kW OBC SiC model | ||
SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB | Active |
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A 6.6kW OBC evaluation board using Totem pole topology | ||
SEC-PTC400-EVB | Active |
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HVAC PTC IGBT Driver |
Availability & Samples
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Specifications
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Intaractive Block Diagram
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外形 |
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NCV57000DWR2G | Active |
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NCV57000 | SOIC-16W | 751G-03 | 1 | 260 | Tape and Reel | 1000 | Contact Sales Office |
市场订货至交货的时间(周) | : | Contact Factory |
Avnet (2020-08-19 00:00) | : | >1K |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCV57000DWR2G
Pb
A
H
P
Active
IGBT
SiC MOSFET
1
Single
Galvanic Isolation
5.5
24
6000 / 6000
10
15
90
SOIC-16W
外形
751G-03
Application
Diagram - Block
设计支援 |