FDV304P: P 沟道，数字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω
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此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。
| 特性 | |
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| 应用 |
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评估/开发工具信息
| 产品 | 状况 | Compliance | 简短说明 | 行动 | |
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| STR-NCP164A-WDFN6-GEVB | Active |
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Strata Enabled NCP164A Adjustable LDO, WDFN6 Package Evaluation Board | ||
| STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB | Active |
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Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, DFNW8 Package Evaluation Board | ||
| STR-NCV8164A-TSOP5-GEVB | Active |
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Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, TSOP5 Package Evaluation Board |
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Availability & Samples
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Specifications
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外形 |
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| FDV304P | Active |
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FDV304P | SOT-23-3 | 318-08 | 1 | 260 | Tape and Reel | 3000 | $0.0532 | ||||||||
| FDV304P-F169 | Last Shipments |
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FDV304P | SOT-23-3 | 318-08 | 1 | 260 | Tape and Reel | 3000 | |||||||||
| 市场订货至交货的时间(周) | : | Contact Factory |
| Avnet (2020-08-19 00:00) | : | >100K |
| 市场订货至交货的时间(周) | : | Contact Factory |
| ON Semiconductor (2020-09-02 00:00) | : | 78,000 |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDV304P
$0.0532
Pb
A
H
P
Active
P-Channel
Single
-25
-8
-1.5
-0.46
0.35
1500
1100
-
-
1.1
63
SOT-23-3
外形
318-08
| 设计支援 |