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安森美（onsemi）具备从分立器件到模块方案的多样化产品阵容，为您 提供各类功率开关，包括IGBT、EliteSiC MOSFET、肖特基二极管。我们的产品能帮助您以合理的成本获得需要的性能和效率。
住宅太阳能
优化住宅太阳能系统
与储能系统搭配使用的太阳能系统的比例预计到2025年将增加到29%。下载这份白皮书，了解安森美全面的大功率硅和碳化硅器件组合，适用于各类住宅、商业和公用事业的太阳能系统。
白皮书
行业开创性PLECS模型
全新碳化硅（SiC）仿真工具助您缩短开发时间
安森美最新推出Elite Power仿真工具，能够准确呈现出采用EliteSiC系列产品包括EliteSiC边界情形的电路运行情况。
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质量和可靠性
质量和可靠性
碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
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650V IGBT，EliteSiC碳化硅MOSFET
650V IGBT采用了窄台、宽沟槽的场截止FS4技术，具有闩锁抗扰度和更小的栅极电容。650V EliteSiC MOSFET在VGS和温度方面具有更低的RDS(ON)。
IGBTs EliteSiC MOSFETs
IGBT模块
IGBT模块组合针对太阳能逆变器的DC-AC级进行了优化。这些最先进的产品利用新的窄台面IGBT技术，提供高电流密度和强大的短路保护功能，以及更高的阻断电压，提供出色的性能表现。
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相关产品
IGBT
MOSFET
碳化硅MOSFET
IGBT模块
碳化硅二极管
栅极驱动器
高速逻辑栅光耦
低压高性能光耦
电流检测放大器
运算放大器（Op Amps）
光电隔离误差放大器
评估/开发套件
SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB
15W高压辅助电源，适用于混动车和纯电动车应用
SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB
40W高压辅助电源，适用于混动车和纯电动车应用
SECO-GDBB-GEVB
栅极驱动器plug-and-play生态系统
SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB
6-18V直流输入隔离式碳化硅栅极驱动器电源+20V/-5V/5V及车规级NCV3064控制器
SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB
6-18V直流输入隔离式IGBT栅极驱动器电源+15V/-7.5V/7.5V及车规级NCV3064控制器
技术文档
在1100V太阳能升压级的功率集成模块中的对比1200V SiC MOSFET和Si IGBT的性能表现
这份应用说明比较了在1100V太阳能逆变器升压级中两种功率集成模块（PIM）的性能表现。
碳化硅（SiC） - 从充满挑战的材料到强固的可靠性
这份白皮书将会向读者介绍安森美从最初设计到批量生产始终坚持采用的质量和可靠性的方法。
安森美全新Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技术优势
这篇应用说明旨在解释这两款线上工具的技术优势...
NCD(V)57000/57001栅极驱动器设计说明
NCD(V)5700x是一款高电流单通道栅极驱动器，带有内部电磁隔离，用于高系统效率应用。
碳化硅MOSFET：栅极驱动优化
对于高压开关功率应用，碳化硅或碳化硅MOSFET具备显著的优势。
优化住宅太阳能系统，实现更佳的效率、可靠性和成本
《加州2022年建筑能效标准》是美国第一部规定新建住宅必须使用太阳能的建筑法规。
SiC仿真
这篇文章将着重讨论仅由仿真获得的结果以及如何使用这些结果...
适用于现代功率电子器件的基于物理的可扩展SPICE建模方式
高效的功率电子设计成功与否取决于准确和可预测的SPICE模型。
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高压栅极驱动IC中自举电路的设计与应用指南
这篇文章的目的是展示设计高性能自举栅极驱动的系统性方法。
高压栅极驱动器的功率耗散和散热考虑因素分析
用于高频开关MOSFET和IGBT的栅极驱动器会耗散大量功率...
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采用NCP1562为电信系统设计100W有源正向钳位DC-DC转换器
NCP1562 PWM控制器包含实施有源正向钳位的所有特性和灵活度。
视频
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